Рабочие характеристики GaN HEMT-транзисторов открывают два пути. Первый — проектировать монолитные усилители, чья выходная мощность в 3–5 раз выше, чем у аналогов на арсениде галлия (GaAs). Второй — заметно сокращать площадь кристалла МИС, не теряя в выходной мощности.
Для перспективных систем связи и радиолокации компания предлагает GaN-транзистор NDNM01023. Его сильная сторона — высокий коэффициент полезного действия по добавленной мощности (PAE), до 50%. В импульсном режиме устройство выдаёт 50 Вт, работает в диапазоне 8,5–9,6 ГГц (X-диапазон) и рассчитано на выходные каскады импульсных передатчиков РЛС. Входной и выходной импеданс согласованы с волновым сопротивлением 50 Ом.
Ключевые параметры NDNM01023:
- коэффициент усиления по мощности (GP) — 8 дБ;
- напряжение питания — 28 В;
- импульсный режим работы;
- корпус C129-10;
- габариты — 21×12,9×4,7 мм.
Транзистор может заменить внутрисхемно согласованный CBT8597H-50, у которого PAE составляет 38% при импульсной мощности 50 Вт.
Если вам понравился материал, кликните значок — вы поможете нам узнать, каким статьям и новостям следует отдавать предпочтение. Если вы хотите обсудить материал —не стесняйтесь оставлять свои комментарии : возможно, они будут полезны другим нашим читателям!
